姓名:游淑珍
单位:西安电子科技大学
部门:广州研究院
状态:未认证
个人简介:
前imec 氮化镓器件研发组组长。毕业于比利时鲁汶大学并获得博士学位。自2012年始,深度参与并领导imec GaN器件研发。全球首发了200mm CMOS兼容的650V GaN 横向晶体管,且通过工业级别可靠性验证。基于MVSG模型,为imec GaN器件建立了物理紧凑模型,开发了GaN集成电路设计平台的PDK。欧盟项目UltimateGaN课题负责人,开发1200V GaN 垂直器件 及 应用于Lidar 的100V GaN 横向器件。
教育经历
1996.9 -- 2000.7
华东师范大学&nbs...
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